三星称将本月开始量产UFS 4.0闪存芯片
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三星称将本月开始量产UFS 4.0闪存芯片,三星官方称,UFS 4.0闪存将成为旗舰智能手机的关键部件,未来还将用于其他移动设备、VR/AR设备等。三星称将本月开始量产UFS 4.0闪存芯片。
在2022年闪存峰会期间,三星对其各种计划进行了一些更新,其中包括启动UFS 4.0存储的批量生产。根据三星的说法,这种新的,更高效的闪存芯片标准将用于各种产品。
“业界首款UFS 4.0移动存储,由三星于5月开发,计划于本月投入量产。新的UFS 4.0将成为旗舰智能手机的关键组件,这些智能手机需要大量的数据处理,以实现高分辨率图像和图形密集型手机游戏等功能,并将用于移动设备,VR和AR等。
当你听到“UFS”这个词时,一个直接的反应是,这项技术在智能手机中被广泛应用。尽管三星尚未明确提及哪些产品将采用其UFS 4.0存储,但我们很有可能在Galaxy S23系列中看到它们,该系列可能于明年推出。
随着本月开始量产,大家可能会认为UFS 4.0闪存将在即将推出的iPhone 14系列中应用。可惜的是,苹果热衷于NVMe存储,因此不太可能在其iPhone上使用三星最新的存储技术。
回顾一下,UFS 4.0使用三星的Gen 7 V-NAND内存和专有控制器,可以达到高达4200MB / s的顺序读取速度和高达2800MB / s的顺序写入速度,这种技术又将智能手机的速度提升一个新高度,我们很期待它的到来。
此外,UFS 4.0 支持每个通道高达 23.2Gbps,这是 UFS 3.1 标准速度的两倍。假设性能和内存带宽增加不是优先事项。在这种情况下,应该知道,与上一代产品相比,最新标准在顺序读取速度方面引入了46%的能效。
新的UFS 4.0存储可以配置为支持高达1TB的存储,这意味着更多的高级智能手机将配备更高的板载内存版本。
三星在加利福利亚举行的2022年闪存峰会上宣布,今年5月份发布的业内首个UFS 4.0闪存,计划在本月开始量产。一切顺利的话,明年的旗舰机就能用上这款最新的闪存颗粒,能让手机的性能进一步提升。
(图源:三星官方)
三星官方称,UFS 4.0闪存将成为旗舰智能手机的关键部件,未来还将用于其他移动设备、VR/AR设备等。官方数据显示,UFS 4.0闪存的.每通道带宽速度高达23.2Gbps,是目前UFS 3.1的两倍左右。配合三星第七代V-NAND技术和专用控制器,它能带来4200MB/s的顺序读取速度,和2800MB/s的顺序写入速度。
读写速度提升还是其次,UFS 4.0闪存最大的提升,是能效得到大幅提高,单位功耗比上一代提升46%,每1mA电流可支持6MB/s的顺序读取速度。也就意味着,在同等功耗下,UFS 4.0闪存能带来更快的传输速率,如果保持与上一代相同的速率,则可以节省近一半的电量,大幅延长手机的续航时长。
(图源:三星官方)
智能手机进入5G时代后,由于在机身内塞入了更多的天线,基带芯片功耗更高,导致手机的续航大幅缩水。以前3000mAh的电池能用一天,现在4500mAh估计还得一天一充。手机的耗电大户还不止5G网络,高分辨率高刷屏、更强的处理器以及影像系统,也让手机续航变得格外拘谨,厂商不得不以牺牲手感为代价,在机身内塞入更大的电池。
可以发现,近两年手机上的很多技术,不再一味地提高性能,大家也把降低功耗列为主要升级方向。如最新的LPDDR5X内存,在LPDDR5的基础上性能提升33%,同时功耗降低了20%。如果稍微限制一下内存的极限性能,能带来很出色的省电效果,日常的体验有相当明显的提升。三星这次带来的UFS 4.0闪存也同样如此,不追求满血性能的话,功耗表现也会相当亮眼。
(图源:三星官方)
下半年登场的骁龙8+ Gen1的表现大家都有目共睹,大家肯定对骁龙8 Gen2越发期待。明年的安卓旗舰除了有新处理加持,现在又多了LPDDR5X内存和UFS 4.0闪存,性能暴增的同时功耗也将进一次降低,如此大的提升你难道没有想换手机的冲动吗?
你的手机在用哪种规格的闪存?eMMC还是UFS?
继今年5月宣布开发出业内首款UFS 4.0存储产品后,三星于今日(8月3日)在2022闪存峰会上宣布,UFS 4.0闪存本月投入量产。
三星表示,UFS 4.0会率先用于旗舰级智能手机上,从而满足处理高分辨率图像、重负载游戏时更高的数据吞吐速度需求。未来,UFS 4.0还会在更多移动设备、AR、VR设备上普及。
从时间安排来看,三星8月10日就要发布Galaxy Z Fold 4/Filp 4折叠屏手机了,它们倒是有可能首发UFS 4.0。不过,高通的骁龙8+处理器并未提到支持UFS 4.0。
还有观点认为,UFS 4.0旗舰机实际要等到11月骁龙8 Gen2平台的产品,比如小米13系列、三星Galaxy S23系列等。
据了解,UFS 4.0的每通道带宽速度增至23.2Gbps,是UFS 3.1的两倍。基于三星的第七代V-NAND闪存和自研主控,实测连续读速可达4200MB/s、连续写速可达2800MB/s。
可做对比的是,目前业内性能最好的三星512GB UFS 3.1闪存芯片(2020年3月发布),标称连续读速最高2100MB/s,写速1200MB/s。对比换算的话,UFS 4.0的写入提升了1.3倍。
在提速的同时,UFS 4.0闪存的优势还有单位功耗更低、封装尺寸更小、单芯片容量可做到1TB。
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