SK海力士称238层NAND闪存将于明年上半年投入量产
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SK海力士称238层NAND闪存将于明年上半年投入量产,韩国芯片制造商SK海力士宣布,它已开发出238层NAND闪存芯片。SK海力士称238层NAND闪存将于明年上半年投入量产。
7月26日,美国美光科技表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片,也是首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业;本周三,韩国的SK海力士也宣布开发出一款超过200层的闪存芯片。
美光的闪存芯片由232层存储单元组成,数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%,且封装尺寸比前几代产品还要小28%。该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的领域,满足其低延迟和高吞吐量的需求。
韩国SK海力士公司今日也宣布,开发出超200层的NAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成,比美光的最新芯片还要多装6层。
据SK海力士称,238层芯片是其尺寸最小的NAND闪存芯片,数据传输速度和功率比上一代提高了50%,读取数据消耗的能量也减少了21%。
SK海力士这款最新芯片将在2023年上半年开始量产;而美光则表示将于2022年底开始量产232层NAND。
层数越高越好
NAND闪存几乎应用与所有主要的电子终端之中,智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。闪存受不受市场欢迎的两个重要因素,一是成本,二就是存储密度。
而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后,芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。
与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同,在NAND市场,目前,想要大幅提高存储密度,增加层数就是关键。因此,NAND闪存从最初的24层一路上升,发展到现在的200多层。
不过也有专家表示,在闪存芯片领域,各个厂家都有各自的技术架构和演进路线图,并不完全一致,各家都有各家的技术工艺特色。在低层级的时候,3D堆叠确实能够显著提升闪存的性能,但是随着层数的增加,性能提升也会遭遇瓶颈,需要在技术、成本和性能之间寻找一个平衡。总体而言,层数的领先并不能代表闪存技术上的绝对领先,还是综合成本和性能来看。
美光232层NAND使用了与三星第七代闪存相似的“双堆栈”技术。将232层分为两部分,每部分116层,从一个深窄的孔开始堆叠。通过导体和绝缘体的交替层蚀刻,用材料填充孔,并加工形成比特存储部分,从而制造出成品芯片。
而蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔,就成为了NAND闪存层数增加的技术关卡。
200层的`野心
目前,大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片,但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。
早在2019年,SK海力士就做出过大胆假设,在2025年推出500层堆叠产品,并在2032年实现800层以上。
今年稍早,美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称,将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片,预定在2024年正式面世。
参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存,业界猜测可达224层,传输速度和生产效率将提高30%。
现在全球的闪存格局,三星电子虽是技术的奠基者并在过去一直领导市场发展,但在200层以上的竞争上,略落后于美光与SK海力士。这两家公司入局虽晚,但技术演进势头很猛,在技术上可能保持领先优势。
而未来,据欧洲知名半导体研究机构IMEC认为,1000层的NAND闪存也不是很远,或在10年内就会出现。层数之争依旧是NAND闪存的主旋律,就看能否有人弯道超车了。
据国外媒体报道,周二,韩国芯片制造商SK海力士宣布,它已开发出238层NAND闪存芯片。
该公司表示,这款芯片是最小的NAND闪存芯片,数据传输速度与上一代芯片相比提升50%,读取数据消耗的能量降低21%,将用于PC存储设备、智能手机和服务器,计划在2023年上半年开始批量生产。
去年12月30日,SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的第一阶段。在第一阶段的交易中,英特尔向SK海力士出售SSD业务(包括转让NAND SSD相关的知识产权及员工)和大连的NAND闪存制造工厂,SK海力士则向英特尔支付70亿美元。
这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行,届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。据悉,英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司Solidigm管理。
由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力,SK海力士在7月下旬宣布,将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。
据悉,SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂,该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设,预计最早于2025年完工。
外媒报道称,该公司之所以决定推迟扩建计划,可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。
SK 海力士官宣全球首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存,将于明年上半年投入量产。现在,SK 海力士官方发文对其最新技术进行了介绍。
据介绍,SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。
SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就超越了传统的 3D 方式,并导入了 4D 方式。为成功研发 4D 架构的芯片,公司采用了电荷捕获型技术 (CTF,Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri. Under Cell) 技术。相比 3D 方式,4D 架构具有单元面积更小,生产效率更高的优点。
官方称,新产品每单位面积具备更高的密度,借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片,因此相比 176 层 NAND 闪存其生产效率也提高了 34%。
此外,238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 2.4Gbps,相比前一代产品提高了 50%,芯片读取数据时的能源消耗也减少了 21%。
SK 海力士计划先为 cSSD 供应 238 层 NAND 闪存,随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器 SSD 等。SK 海力士还将于明年发布 1Tb 密度的全新 238 层 NAND 闪存产品。
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